Name: micron(镁光) MT29F4G01ABBFD12-AUT:F
Brand: micron(镁光)
SKU: C22029726
Price: 12.49 CNY
Availability: OutOfStock

单级单元（SLC）技术
组织架构：
- 页面大小 × 1：4352 字节（4096 + 256 字节）
- 块大小：64 页（256K + 16K 字节）
设备容量：4Gb（1 个管芯 × 2048 块）；8Gb（2 个管芯 × 2048 块）
标准和扩展的 SPI 兼容串行总线接口
指令、地址在 1 个引脚上；数据输出在 1、2 或 4 个引脚上
指令在 1 个引脚上；地址、数据输出在 2 或 4 个引脚上
指令、地址在 1 个引脚上；数据输入在 1、2 或 4 个引脚上
块内连续读取、启动就绪或可通过功能寄存器配置
支持用户可选的内部 ECC
8 位/扇区
时钟频率：
- 3.3V 时最大 133MHz
- 1.8V 时最大 83MHz
阵列性能：
- 页面读取：禁用片上 ECC 时最大 25μs；启用片上 ECC 时最大 115μs
- 页面编程：禁用片上 ECC 时典型 200μs；启用片上 ECC 时典型 240μs
- 块擦除：典型 2ms
高级特性：
- 读取页面缓存模式（×2、×4、双路、四路和随机）
- 读取唯一 ID
- 读取参数页面
设备初始化：上电后自动进行设备初始化
安全特性：
- 每个管芯的块 7:0 在出厂时启用 ECC 时有效（适用于 AAT 部件）
- 每个管芯的块 31:0 在出厂时启用 ECC 时有效（适用于 AUT 部件）
- 带锁存寄存器的软件写保护
- 硬件写保护以冻结 BP 位
- 在一个电源周期内锁定以冻结 BP 位
永久块锁定保护：每个管芯有 10 页一次性可编程 NAND 闪存区域
质量和可靠性：
- 耐久性：100,000 次编程/擦除循环
- 数据保留：符合 JESD47H 标准；详见认证报告
- 附加：未循环数据保留：在 85°C 下 24/7 可保留 10 年
- 符合 AEC - Q100 标准
选项标记：
- 密度：4Gb（4G）、8Gb（8G）
工作电压范围：
- VCC：2.7 - 3.6V
- VCC：1.7 - 1.95V
工作温度：
- AAT 型号：-40°C 至 +105°C
- 另一种：-40°C 至 +125°C
封装：24 球 T - PBGA，5/6mm × 8mm（5 × 5 阵列）

	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	4Gbit
	接口类型	SPI
	时钟频率(fc)	83MHz
	工作电压	1.7V~1.95V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	2ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	待机电流	-
	擦写寿命	10万次
	功能特性	硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；写使能锁存；软件写保护功能

MT29F4G01ABBFD12-AUT:F

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