AT25DF011-XMHN-T

1Mbit 1.65V最小电压SPI串行闪存，支持双读

描述: 串行接口闪存存储设备，适用于各种高容量消费类应用，其中程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，具有页面擦除粒度，也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，提高内存空间使用效率。包含专用的一次性可编程（OTP）安全寄存器，可用于唯一设备序列化、系统级电子序列号（ESN）存储、锁定密钥存储等。支持在1.65V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: AT25DF011-XMHN-T
商品编号: C21994016
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.224克(g)

商品参数

商品概述

AT25DF011是一款串行接口闪存器件，专为需要将程序代码从闪存加载到嵌入式或外部RAM中执行的大批量消费类应用而设计。其灵活的擦除架构和页面擦除粒度也使其成为数据存储的理想选择，无需额外的数据存储设备。该器件的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，通过优化擦除块尺寸，可以更高效地利用存储空间。由于某些代码模块和数据存储段必须独占其擦除区域，因此与采用大扇区和大块擦除的闪存器件相比，可以显著减少浪费和未使用的存储空间。这种提高的存储空间效率允许在保持相同总体器件密度的同时，添加额外的代码例程和数据存储段。该器件还包含一个专用的一次性可编程安全寄存器，可用于设备序列化、系统级电子序列号存储、锁定密钥存储等目的。该器件专为多种不同系统设计，支持在1.65V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，无需单独的编程和擦除电压。

商品特性

单电源供电，电压范围1.65V至3.6V
兼容串行外设接口
支持SPI模式0和3
支持双输出读取
最高工作频率104MHz
时钟到输出时间tV为6ns
针对代码+数据存储应用的灵活、优化的擦除架构
小容量页面擦除
统一的4KB块擦除
统一的32KB块擦除
全芯片擦除
通过WP引脚硬件控制保护扇区锁定
128字节一次性可编程安全寄存器
64字节出厂编程，包含标识符
64字节用户可编程
灵活的编程方式
字节/页面编程
快速的编程和擦除时间
典型的页面编程时间为1.5ms
典型的4KB块擦除时间为50ms
典型的32KB块擦除时间为350ms
自动检查和报告擦除/编程失败
软件控制复位
符合JEDEC标准的制造商和设备ID读取方法
低功耗
超深度掉电电流典型值为200nA
深度掉电电流典型值为5μA
待机电流典型值为25μA
有效读取电流典型值为4.5mA
耐久性：100,000次编程/擦除循环
数据保持期：20年
温度范围：-10°C至+85°C (1.65V至3.6V)，-40°C至+85°C (1.7V至3.6V)
符合行业标准的绿色封装选项
8引脚SOIC封装
8焊盘超薄DFN封装
8引脚TSSOP封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	1Mbit
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	1.65V~3.6V
	待机电流	25uA
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	1.5ms
	块擦除时间(tBE)	50ms
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护