AT25DN256-XMHF-T

256-Kbit 2.3V最小电压支持双读的SPI串行闪存

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: AT25DN256-XMHF-T
商品编号: C21994017
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	数据保留 - TDR(年)	20年
	写周期寿命	10万次
	功能特性	软件写保护功能；硬件写保护功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	2.3V~3.6V
	工作温度	-

商品概述

AT25DN256是一款串行接口闪存设备，设计用于各种高容量消费类应用，其中程序代码从闪存影子复制到嵌入式或外部RAM中执行。该设备具有灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也使其非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更高效地使用存储空间。由于某些代码模块和数据存储段必须单独驻留在自己的擦除区域中，因此使用大扇区和大块擦除闪存设备时产生的浪费和未使用存储空间可以大大减少。这种提高的存储空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时保持相同的整体设备密度。该设备还包含一个专用的OTP（一次性可编程）安全寄存器，可用于诸如设备序列化、系统级电子序列号存储、锁定密钥存储等用途。专为许多不同系统设计，AT25DN256支持读取、编程和擦除操作，具有2.3V至3.6V的宽电源电压范围，编程和擦除无需单独的电压。

商品特性

单电源2.3V至3.6V
串行外设接口（SPI）兼容，支持SPI模式0和3，支持双输出读取
最大工作频率104MHz
时钟到输出时间(t_V)为6ns
灵活、优化的擦除架构，适用于代码和数据存储应用，包括小（256字节）页面擦除、统一4KB块擦除、统一32KB块擦除、全芯片擦除
通过WP引脚硬件控制保护扇区锁定
128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器，64字节工厂编程具有标识符，64字节用户可编程
灵活编程，支持字节/页面编程（1至256字节）
快速编程和擦除时间，典型页面编程（256字节）时间1.25ms，典型4KB块擦除时间35ms，典型32KB块擦除时间250ms
自动检查和报告擦除/编程失败
软件控制复位
JEDEC标准制造商和设备ID读取方法
低功耗，超深功耗下降电流典型值350nA，深功耗下降电流典型值7.5μA，待机电流典型值25μA，主动读取电流典型值6mA
耐久性：100,000次编程/擦除周期
数据保留：20年
符合全工业温度范围
行业标准绿色（无铅/无卤素/RoHS兼容）封装选项，包括8引脚SOIC（150密耳）、8焊盘超薄DFN（2×3×0.6mm）、8引脚TSSOP封装

应用领域

消费类应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	256Kbit
	时钟频率(fc)	104MHz
	写周期时间(Tw)	-