商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- AOZ5518QI是一款高效同步降压功率级模块，由两个非对称MOSFET和一个集成驱动器组成。
- MOSFET针对同步降压配置的运行进行了单独优化。
- 高端MOSFET经过优化，可实现低电容和低栅极电荷，适用于低占空比运行下的快速开关。
- 低端MOSFET具有超低导通电阻，可将传导损耗降至最低。
- 精心选择并设计了紧凑的5mm x 5mm QFN封装，以将寄生电感降至最低，从而减少电磁干扰。
- AOZ5518QI使用PWM和/或FCCM输入来精确控制功率MOSFET的开关动作，与5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。
- 自举二极管集成在驱动器中。
- 低端MOSFET可驱动进入二极管仿真模式，以提供异步运行并改善轻载性能。
- 引脚布局也针对低寄生效应进行了优化，将其影响降至最低。
- 4.5V至25V电源电压范围
- 4.5V至5.5V驱动器电源电压范围
- 65A连续输出电流 - 10ms脉冲时最高可达80A - 10μs脉冲时最高可达120A
- 最高2MHz开关频率
- 兼容5V PWM /三态输入
- 欠压锁定保护
- FCCM引脚控制，用于关断/二极管仿真/连续导通模式运行
- 标准5mm x 5mm QFN - 31L封装
应用领域
- 笔记本电脑
- 内存和显卡
- 主板电压调节模块
- 负载点DC/DC转换器
- 视频游戏机