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NIS5112D2R2G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 浪涌保护器 | |
| FET类型 | 内置FET | |
| 通道数 | - | |
| 阈值电压 | - | |
| 触发电流 | 2.3A | |
| 工作电压 | 9V~18V | |
| 复位电压(Vreset) | - | |
| 安装方式 | 表面安装 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 长度 | - | |
| 宽度 | - | |
| 高度 | - | |
| 功能特性 | 过载保护；热保护；过流保护；过压钳位保护；欠压锁定；短路保护 |
商品概述
NIS5112是一款集成开关，采用内部电荷泵驱动的高端N沟道FET。该开关采用MOSFET，允许使用廉价的贴片电阻而非昂贵的低阻抗电流分流器进行电流检测。它专为12 V系统设计，包含一个可靠的热保护电路。
商品特性
- 集成功率器件
- 功率器件具备热保护功能
- 无需外部电流分流器
- 使能/定时器引脚
- 输出电压的压摆率可调
- 输入范围为9 V至18 V
- 典型值为30 mΩ
- 内置电荷泵
- ESD等级：人体模型（HBM）4000 V
- 这些器件为无铅器件
应用领域
- 硬盘驱动器