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40P04
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 40P04是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P04符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证符合EAS标准。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 40P04
- 商品编号
- C21882500
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47184克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- RDS(ON)，VGS@10 V，IDS@500 mA时为3 Ω
- RDS(ON)，VGS@4.5 V，IDS@200 mA时为4 Ω
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电（ESD）防护2KV人体模型（HBM）
- 元件符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令
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