- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT29F4G01ABAFD12-AUT:F
4Gb、8Gb 1.8V、3.3V x1、x2、x4：SPI NAND 闪存
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F4G01ABAFD12-AUT:F
- 商品编号
- C21857807
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；写使能锁存；软件写保护功能 |
商品特性
- 单层单元技术
- 组织架构：页大小 ×1：4352字节（4096 + 256字节）；块大小：64页（256K + 16K字节）
- 设备容量：4Gb（1晶片 × 2048块）；8Gb（2晶片 × 2048块）
- 标准及扩展SPI兼容串行总线接口：指令、地址在1个引脚上；数据输出在1、2或4个引脚上；指令在1个引脚上；地址、数据输出在2或4个引脚上；指令、地址在1个引脚上；数据输入在1、2或4个引脚上；块内连续读取、启动就绪或可通过特性寄存器配置
- 支持用户可选内部ECC：每扇区8位
- 时钟频率：133 MHz（最大值）在3.3V下；83 MHz（最大值）在1.8V下
- 阵列性能：页读取：25μs（最大值）禁用片上ECC；115μs（最大值）启用片上ECC；页编程：200μs（典型值）禁用片上ECC；240μs（典型值）启用片上ECC
- 块擦除：2ms（典型值）
- 高级特性：读取页缓存模式（×2、×4、双线、四线及随机）；读取ID；读取参数页
- 设备初始化：上电后自动设备初始化
- 安全性：对于AAT部件，出厂时每个晶片的块7:0在启用ECC下有效；对于AUT部件，出厂时每个晶片的块31:0在启用ECC下有效；带锁定寄存器的软件写保护；硬件写保护以冻结BP位；单次电源周期内锁定以冻结BP位
- 永久块锁定保护：OTP空间：每晶片10页一次性可编程NAND闪存区域
- 质量与可靠性：耐久性：100,000次编程/擦除循环；数据保持：符合JESD47H标准；未循环数据保持：10年全天候@85°C；符合AEC-Q100标准
- 选项标记：容量：4Gb 4G；8Gb 8G
- 工作电压范围：VCC：2.7-3.6V；VCC：1.7-1.95V
- 工作温度：从-40°C至+105°C AAT；从-40°C至+125°C
- 封装：24球T-PBGA，05/6mm × 8mm 12（5 × 5阵列）