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WML28N65F2
650V超结功率MOSFET
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- 描述
- WMOSTM F2 是 第二代具有快速体二极管的超结 MOSFET 系列。F2 系列具备快速开关 SJ - MOSFET 的所有优势，同时提供极快的体二极管。WMMOSTM F2 尤其能使谐振开关应用更加可靠
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WML28N65F2
- 商品编号
- C21726231
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.775nF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
20P09L是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 20P09L符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证通过EAS测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证通过EAS测试
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
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