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150N03NF
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 1个N沟道 耐压:30V 电流:150A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 150N03NF
- 商品编号
- C21713990
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.272nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 718pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.022nF |
商品概述
150N03NF是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 150N03NF符合RoHS和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试保证,具备完整功能可靠性认证。 超低栅极电荷 100%雪崩能量耐量(EAS)保证 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制能力 先进的高单元密度沟槽工艺技术
商品特性
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）
- 当VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 55 mΩ（典型值）
- 30V，当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 40 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，可实现低RDS(on)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换