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150N03NF
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 1个N沟道 耐压:30V 电流:150A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 150N03NF
- 商品编号
- C21713990
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.272nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 718pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.022nF |
商品概述
AO3402A-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO3402A-ES为无铅产品。
商品特性
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）
- 当VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 55 mΩ（典型值）
- 30V，当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 40 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，可实现低RDS(on)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换