AOZ5313NQI

AOZ5313NQI是一款高效同步降压功率级模块，由两个非对称MOSFET和一个集成驱动器组成。这些MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端MOSFET经过优化，可实现低电容和低栅极电荷，适用于低占空比的快速开关操作。低端MOSFET具有超低导通电阻，可将传导损耗降至最低。 AOZ5313NQI采用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关动作，与3V和5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。 AOZ5313NQI具备多种特性，是一款高度通用的电源模块。驱动器中集成了自举开关。低端MOSFET可被驱动进入二极管仿真模式，以实现异步操作并改善轻载性能。引脚布局也经过优化，可降低寄生效应，将其影响降至最低。

• 2.5V至20V电源电压范围
• 4.5V至5.5V驱动器电源电压范围
• 65A连续输出电流
• 脉冲模式下10ms内可达80A
• 脉冲模式下10μs内可达120A
• 最高2MHz开关频率
• 兼容3V/5V PWM/三态输入
• 欠压锁定保护
• SMOD#控制，用于二极管仿真/连续导通模式（CCM）操作
• 5x5 QFN-31L薄型封装

• 内存和显卡
• 主板电压调节模块（VRM）
• 负载点DC/DC转换器
• 视频游戏机