立创商城logo
购物车0
AT45DB021E-MHN-T引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AT45DB021E-MHN-T

2-Mbit DataFlash(额外 64 kbits)1.65V 最小 SPI 串行闪存

商品型号
AT45DB021E-MHN-T
商品编号
C21708081
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型SPI
存储容量2Mbit
时钟频率(fc)85MHz
写周期时间(Tw)-
属性参数值
数据保留 - TDR(年)20年
写周期寿命-
功能特性内置上电复位(POR);软件写保护功能;硬件写保护功能;噪声抑制功能
工作电压1.65V~3.6V
工作温度-

商品特性

  • 单电源供电范围1.65V~3.6V
  • 兼容串行外设接口,支持模式0和3,支持快速串行操作
  • 支持对整个存储阵列进行连续读取,最高频率达85兆赫兹,提供最高15兆赫兹的低功耗读取选项,最大时钟到输出时间tV为6纳秒
  • 用户可配置页面大小,每页264字节,可出厂预配置为每页256字节
  • 包含一个静态随机存取存储器数据缓冲区
  • 提供灵活的编程选项,支持直接对主存储器进行字节或页面编程,支持缓冲区写入以及缓冲区到主存储器页面编程
  • 提供灵活的擦除选项,包括页面擦除、块擦除、扇区擦除和芯片擦除
  • 支持编程和擦除挂起与恢复操作
  • 具备高级硬件和软件数据保护功能,包括独立的扇区保护以及将扇区永久锁定为只读的功能
  • 包含128字节的一次性可编程安全寄存器,其中64字节由工厂编程为标识符,64字节可由用户编程
  • 提供硬件和软件控制的复位选项
  • 支持读取符合联合电子设备工程委员会标准的生产商和设备标识
  • 功耗低,典型超深度掉电电流为200纳安,典型深度掉电电流为3微安,典型待机电流为25微安,典型读取电流为4.5毫安
  • 每页可承受至少10万次编程或擦除循环
  • 数据保存期限为20年
  • 符合完整的工业温度范围要求
  • 提供绿色环保封装选项,包括8引脚小外形集成电路、8引脚超薄双边扁平无引线封装、8焊球晶圆级芯片尺寸封装以及晶圆形式裸片

数据手册PDF