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MMF65R190PTH
MMF65R190PTH
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MMF65R190PTH
- 商品编号
- C193394
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.425nF |
商品概述
MMF65R190P是一款功率MOSFET，采用了Magnachip先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，还具备低开关损耗的特点。
商品特性
- 高速开关和低导通电阻实现低功率损耗
- 经过100%雪崩测试
- 环保封装 - 无铅电镀、无卤素
应用领域
- PFC电源级
- 开关应用
- 适配器
- 电机控制
- DC-DC转换器
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