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MDD1902RH
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.087nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
MDD1902采用先进的Magnachip MOSFET技术，在导通电阻、快速开关性能和卓越品质方面表现出色。MDD1902适用于DC/DC转换器和通用应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，漏极电流（ID） = 40 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 28mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 6.0 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 31mΩ
应用领域
- DC/DC转换器
- 通用应用