- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS49NLC93200A-25WBL
Common I/O RLDRAM 2 Memory，533MHz DDR 操作，差分输入时钟，38.4Gb/s 峰值带宽
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49NLC93200A-25WBL
- 商品编号
- C21540635
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | - | |
| 工作电压 | - | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 533MHz DDR操作（1.067 Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4Gb/s峰值带宽（在533 MHz时钟频率下为x36）
- 缩短周期时间（533MHz时为15ns）
- 32ms刷新（每个存储体8K刷新；每32ms必须总共发出64K刷新命令）
- 8个内部存储体
- 非复用地址（可选地址复用）
- SRAM型接口
- 可编程读取延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡读写延迟以优化数据总线利用率
- 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写入数据信号；DM在DK的两个边沿采样
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
- 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
- 片上终端（ODT）RTT
- 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
- 工作温度：商业级（TC = 0°C至+95°C）；工业级（TC = -40°C至+95°C；TA = -40°C至+85°C）
- IS4S-120A-L-50K
- ISL1571IRZ-EVAL
- ISL28214SOICEVAL2Z
- IW-G33D-SCMQ-4L002G-E008G-LCI
- IW-G36S-5EV1-4E002G-E008G-BEE
- IXD1415BB057R-G
- IXD1415BB06MR-G
- IXD1415CC04MR-G
- IXD1415CC89ER-G
- IXD1415CCD5ER-G
- IXD1415DD03ER-G
- IXD1415GG62MR-G
- IXD1415GGB3ER-G
- IXD1415HH17ER-G
- IXD1421AB13ER-G
- IXD1504A231NR-G
- J006-CG30827R4
- J006-CG30840S2
- J214-312-T
- J5
- JA83386