APT15DQ60BCTG

碳化硅MOSFET和功率MOS 8 MOSFET/FREDFET

描述: 特性：RDS(on) 稳定性随温度变化。高雪崩性能。UIS 和重复 UIS。应用：交通运输/汽车：电动汽车（EV）电池充电器、混合动力电动汽车（HEV）动力系统、DC-DC 转换器、能量回收
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT15DQ60BCTG
商品编号: C21284966
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

碳化硅（SiC）是适用于更高开关频率、更高效率和更高功率（>650V）应用的理想技术。Microchip的mSiC MOSFET和mSiC二极管（肖特基势垒二极管）产品线通过实现系统小型化和更小/更低成本的散热，提高了系统效率，同时降低了总体拥有成本。Power MOS 8是Microchip最新的高速、高压（500 - 1200V）N沟道开关模式功率晶体管系列，与上一代器件相比，具有更低的EMI特性和更低的成本。超快速、低栅极电荷MOSFET系列结合了业内最低的栅极电荷和Microchip专有的自对准铝金属栅极结构，能够实现极快的开关速度和极低的开关损耗。

商品特性

碳化硅MOSFET：RDS(on)随温度变化稳定；高雪崩性能 - UIS和重复UIS；长短路耐受时间；内部体二极管无寿命退化；有多种合格的衬底和外延材料来源；具备双制造能力；无产品停产情况；交货期有竞争力；拥有广泛的功率开关产品组合
分立器件、裸片和模块；Microchip拥有完整的电源系统产品组合，包括功率级、栅极驱动器和控制解决方案；在工业和汽车领域有专业知识和支持体系
Power MOS 8 MOSFETs/FREDFETs：快速开关；低EMI；安静开关；雪崩能量额定；低栅极电荷
超快速、低栅极电荷MOSFET：结合业内最低的栅极电荷和专有的自对准铝金属栅极结构，实现极快开关速度和极低开关损耗

应用领域

交通运输/汽车：电动汽车电池充电器、混合动力汽车动力系统、DC - DC转换器、能量回收
数据中心：不间断电源、电源分配单元、PSU（PFC/LLC）电源
商业：驱动、空调和电源分配
工业：感应加热、电机驱动、开关模式电源、焊接
智能能源：储能、光伏逆变器、风力涡轮机

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	肖特基二极管
	二极管配置	-
	正向压降(Vf)	-
	直流反向耐压(Vr)	-

	属性	参数值
	整流电流	-
	反向电流(Ir)	-
	工作结温范围	-
	非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)	-