立创商城logo
购物车0
AT25XE041B-SSHN-B引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AT25XE041B-SSHN-B

4-Mbit,1.65V最小SPI串行闪存,支持双I/O

商品型号
AT25XE041B-SSHN-B
商品编号
C21284984
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型SPI
存储容量4Mbit
时钟频率(fc)85MHz
写周期时间(Tw)-
属性参数值
数据保留 - TDR(年)20年
写周期寿命10万次
功能特性软件写保护功能;硬件写保护功能;内置写使能锁存器(WEL)
工作电压1.65V~3.6V
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

AT25XE041B是一款4兆位串行闪存,支持双I/O操作,工作电压范围最低为1.65V。

商品特性

  • 单电源供电,电压范围为1.65V~3.6V(工作温度-40°C至+85°C),或1.7V~3.6V(工作温度-40°C至+125°C)
  • 兼容串行外设接口,支持模式0和3及双I/O操作,最高工作频率为85MHz
  • 输出延迟为6纳秒
  • 提供灵活的擦除架构,适用于代码与数据存储应用
  • 支持小页擦除、统一4千字节块擦除、统一32千字节块擦除、统一64千字节块擦除及全芯片擦除
  • 提供通过写保护引脚进行硬件控制的扇区锁定功能
  • 包含一个128字节的一次性可编程安全寄存器,其中64字节由工厂预编程为标识符,64字节可由用户编程
  • 提供灵活的编程方式,包括字节/页编程、双输入字节/页编程以及顺序编程模式
  • 具备快速的编程和擦除时间,典型页编程时间为2毫秒,典型4千字节块擦除时间为45毫秒,典型32千字节块擦除时间为360毫秒,典型64千字节块擦除时间为720毫秒
  • 支持自动检查和报告擦除/编程失败
  • 支持软件控制复位
  • 采用标准的制造商和设备ID读取方法
  • 具有低功耗特性,典型超深度掉电电流为200纳安,典型深度掉电电流为4.5微安,典型待机电流为25微安,典型读取电流为3.5毫安
  • 在-40°C至+85°C温度下,耐久性为10万次编程/擦除周期;在-40°C至+125°C温度下,耐久性为2万次编程/擦除周期
  • 数据保存期限为20年
  • 符合工业级温度范围要求
  • 提供符合环保标准的多种封装选项

数据手册PDF