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VBL7402实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBL7402

1个N沟道 耐压:40V 电流:200A

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描述
TO263-7L;N—Channel沟道,40V;200A;RDS(ON)=1.5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=2.5~3.5V;
商品型号
VBL7402
商品编号
C21264517
商品封装
TO-263-7L​
包装方式
管装
商品毛重
1.64克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)206nC@10V
输入电容(Ciss)13.88nF
反向传输电容(Crss)840pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.414nF

商品特性

  • 沟槽功率MOSFET
  • 低热阻封装
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 功率因数校正电源 (PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯 (HID)
  • 荧光镇流器照明
  • 工业应用

数据手册PDF