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IPB180N10S4-02-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 描述
- SGT ；TO263-7L；N—Channel沟道,100V；180A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB180N10S4-02-VB
- 商品编号
- C21264527
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
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