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IS49RL18640-107EBLI实物图
  • IS49RL18640-107EBLI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS49RL18640-107EBLI

1.15Gb:X18,x36 RLDRAM3

品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS49RL18640-107EBLI
商品编号
C21248077
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

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参数完善中

商品特性

  • 1200 MHz DDR 操作(2400 Mb/s/球数据速率)
  • 组织:64 Meg x 18 和 32 Meg x 36 通用 I/O(CIO),16 个存储体
  • 1.2V 中心端接推挽 I/O
  • 2.5V V_EXT,1.35V V_DD,1.2V V_DDQ(仅 2400 操作时可选 1.35V V_DDQ)
  • 减少的周期时间(t_RC(最小值)= 6.67 - 8ns)
  • SDR 寻址
  • 可编程读写延迟(RL/WL)和突发长度
  • 写命令的数据掩码
  • 差分输入时钟(CK,CK#)
  • 自由运行的差分输入数据时钟(DKx,DKx#)和输出数据时钟(QKx,QKx#)
  • 片上 DLL 生成 CK 边沿对齐的数据和差分输出数据时钟信号
  • 64ms 刷新(每 64ms 128K 刷新)
  • 168 球 FBGA 封装
  • 40Ω 或 60Ω 匹配阻抗输出
  • 集成片上终端(ODT)
  • 单存储体或多存储体写入
  • 扩展工作范围(200 - 1200 MHz)
  • 读训练寄存器
  • 复用和非复用寻址能力
  • 镜像功能
  • 输出驱动器和 ODT 校准
  • 封装后修复 - 每半个存储体 1 行
  • JTAG 接口(IEEE 1149.1 - 2001)

数据手册PDF