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PSMN2R0-30PL,127
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- N沟道,30V,100A
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R0-30PL,127
- 商品编号
- C225063
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 211W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.15V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.81nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.41nF |
商品概述
采用TO220封装的逻辑电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。该产品专为广泛的工业、通信和家用设备设计并通过相关认证。
商品特性
- 低开关和传导损耗，效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机控制
- 负载开关
- 服务器电源