IS25LX064-JHLE-TR
64Mb 3V串行闪存存储器,具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS25LX064-JHLE-TR
- 商品编号
- C21102542
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 10uA | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;软件写保护;电源锁定保护 |
商品概述
IS25LP064A串行闪存提供了一种多功能存储解决方案,具有高灵活性和性能,采用简化的引脚数封装。行业标准串行接口闪存适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过4线SPI接口访问,包括串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和芯片使能(CE#)引脚,这些引脚也可以配置为多I/O。该器件支持双和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。时钟频率高达133MHz,允许等效时钟速率高达532MHz(133MHz × 4),相当于66MB/s的数据吞吐量。该系列闪存增加了对DTR(双传输速率)命令的支持,这些命令在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。这些传输速率可以超过16位并行闪存,允许高效内存访问以支持XIP(就地执行)操作。内存阵列在出厂时已擦除(所有位设置为1)。QPI(四外设接口)支持2周期指令,进一步减少指令时间。页面可以按4KB扇区、32KB块、64KB块和/或整个芯片进行擦除。统一的扇区和块架构提供了高度的灵活性,使该器件可用于需要稳固数据保留的各种应用。
商品特性
- 行业标准串行接口
- 容量为64Mb/8MB
- 每个可编程页256字节
- 支持标准SPI、快速、双、双I/O、四、四I/O、SPI DTR、双I/O DTR、四I/O DTR和QPI
- 支持双传输速率(DTR)
- 支持串行闪存可发现参数(SFDP)
- 高性能串行闪存(SPI)
- 在Vcc=2.7V至3.6V下133MHz快速读取
- 在Vcc=2.3V至3.6V下104MHz快速读取
- QPI操作等效532MHz
- 50MHz正常读取
- DTR(双传输速率)高达66MHz
- 可选虚拟周期
- 可配置驱动强度
- 支持SPI模式0和3
- 超过100,000次擦除/编程周期
- 超过20年数据保留
- 灵活高效的内存架构
- 具有统一扇区/块擦除(4/32/64 KB)的芯片擦除
- 每页编程1至256字节
- 编程/擦除暂停与恢复
- 高效的读取和编程模式
- 连续读取8/16/32/64字节突发环绕
- 可选突发长度
- QPI减少指令开销
- 低功耗与宽温度范围
- 单电源电压2.3V至3.6V
- 典型5 mA活动读取电流
- 典型10μA待机电流
- 典型5μA深度掉电电流
- 温度等级:扩展级-40℃至+105℃,自动级(A3)-40℃至+125℃
- 高级安全保护
- 软件和硬件写保护
- 电源锁定保护
- 4×256字节专用安全区域,带有OTP用户可锁定位
- 每个器件128位ID
- 行业标准引脚排列和封装
- 8引脚SOIC 208mil
- 8触点USON 4×3 mm
- 8触点XSON 4×4 mm
- 8触点WSON 6×5 mm
- 8触点WSON 8×6 mm
- 16引脚SOIC 300mil
- 24球TFBGA 6×8 mm 4×6
- 24球TFBGA 6×8 mm 5×5
- 无卤素,符合RoHS和TSCA
- IS25WX512M-JHLA3-TR
- IS31FL3296-QFLS4-EB
- IS49NLC93200A-18WBLI
- IS49NLS93200A-18WBLI
- IS49RL18320A-107EBLI
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- ISL28433SOICEVAL1Z
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- IW-G34D-Q704-4L001G-E008G-LCB
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- IX80G-B-10P(01)
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- IXD1415CC35MR-G
- IXD1415CC60ER-G
- IXD1415CC68ER-G
- IXD1415CCC3MR-G
- IXD1415FF56ER-G
- IXD1504A171MR-G
- IXD1504A2819R-G
- IXD1504A291NR-G

