- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS49NLS93200A-18WBLI
288Mb 独立 I/O RLDRAM 2 内存，533MHz DDR 操作
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49NLS93200A-18WBLI
- 商品编号
- C21102547
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置DLL；JTAG边界扫描功能 |
商品特性
- 533MHz DDR操作（1.067 Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4Gb/s峰值带宽（在533 MHz时钟频率下为x18）
- 缩短周期时间（在533MHz时为15ns）
- 32ms刷新（每个存储体8K刷新；每32ms必须总共发出64K刷新命令）
- 8个内部存储体
- 非复用地址（可选地址复用）
- SRAM型接口
- 可编程读取延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
- 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写入数据信号；DM在DK的两个边沿采样
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
- 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
- 片上终端（ODT）RTT
- 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
- 工作温度：商业级（TC = 0℃ to +95℃）；工业级（TC = -40℃ to +95℃；TA = -40℃ to +85℃）
- IS49RL18320A-107EBLI
- ISL24020IHTZ-T7
- ISL28207SOICEVAL2Z
- ISL28433SOICEVAL1Z
- ITA-1710-04A1E
- IW-G34D-Q704-4L001G-E008G-LCB
- IX31G-A-10S-CV(7.0)
- IX80G-B-10P(01)
- IXD1415CC137R-G
- IXD1415CC35MR-G
- IXD1415CC60ER-G
- IXD1415CC68ER-G
- IXD1415CCC3MR-G
- IXD1415FF56ER-G
- IXD1504A171MR-G
- IXD1504A2819R-G
- IXD1504A291NR-G
- J006-CE20RDOQ5
- JAN1N4148UBCD/TR
- JB2835BWT-N-U57EA0000-N000P001
- JBXEA0G02FPSDS