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ZXMS6004DGQ-13
60V N沟道自保护增强型智能场效应晶体管（IntelliFET MOSFET）
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- 描述
- ZXMS6004DGQ是一款具有逻辑电平输入的自保护低端IntelliFET™ MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护逻辑电平功能。ZXMS6004DGQ非常适合作为由3驱动的通用开关
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMS6004DGQ-13
- 商品编号
- C2157978
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 低侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 1.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 60V | |
| 导通电阻 | 350mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；过压保护(OVP)；短路保护(SCP)；过流保护(OCP) |
商品概述
ZXMS6004DGQ是一款具有逻辑电平输入的自保护低端IntelliFET™ MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平功能。ZXMS6004DGQ非常适合作为由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关，用于标准MOSFET不够耐用的恶劣环境。
商品特性
- 紧凑的高功率耗散封装
- 低输入电流
- 逻辑电平输入（3.3V和5V）
- 带自动重启功能的短路保护
- 过压保护（有源钳位）
- 带自动重启功能的热关断
- 过流保护
- 输入保护（ESD）
- 高连续电流额定值
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
- 可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 线性模式能力 - 限流保护电路设计为在低VDS时停用，以最小化导通状态的功率耗散。因此，最大直流工作电流由封装/电路板组合的热性能决定，而非保护电路。这不会影响产品在低VDS时的自保护能力。
应用领域
- 特别适用于具有高浪涌电流的负载，如灯具和电机
- 开关应用中的所有类型的电阻性、电感性和电容性负载
- 适用于12V和24V直流应用的与微控制器兼容的电源开关
- 符合汽车级标准
- 可替代机电继电器和分立电路
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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