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BGT24AR4E6433XUMA1实物图
  • BGT24AR4E6433XUMA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BGT24AR4E6433XUMA1

BGT24AR4E6433XUMA1

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商品型号
BGT24AR4E6433XUMA1
商品编号
C2151874
商品封装
VQFN-32(4.3x5.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

BGT24AR4是一款硅锗毫米波单片集成电路(MMIC),包含四个独立的零差接收机链路。每个接收机由一个工作在24 GHz工业、科学和医疗(ISM)频段的下变频器组成。内置本振(LO)缓冲放大器,以降低本振驱动要求。片上提供中频(IF)信号滤波和放大功能。 为便于监测,集成了下变频器和中频输出信号的饱和检测器以及中频链路测试功能。 温度和本振功率传感器信号可通过复用模拟输出获取。以下功能可通过32位串行外设接口(SPI)总线进行控制:

  • 下变频器和基带放大器的启用
  • 基带放大器增益的选择
  • 通过模拟输出获取的传感器信号的选择

商品特性

  • 基于吉尔伯特(Gilbert)单元的四路零差24 GHz下变频器,集成中频滤波器和可编程增益基带放大器
  • 单端射频(RF)端口
  • 低单边带噪声系数:典型单边带噪声系数NFssb = 10 dB
  • 下变频器的P1dB输入压缩点高:典型值为 -6 dBm
  • 所需本振输入功率低: -6 dBm
  • 片上集成本振电平与温度传感器
  • 模拟传感器信号复用输出
  • 下变频器和中频放大器集成饱和检测器
  • 可通过SPI禁用下变频器和基带放大器
  • 中频链路可测试
  • 单电源供电:典型值为3.3 V
  • 低功耗:典型值为610 mW
  • 采用200 GHz双极型硅锗碳(SiGe:C)技术b7hf200
  • 器件具备完整的静电放电(ESD)保护
  • 采用VQFN - 32 - 9无引脚塑料封装,具备引脚尖端检测(LTI)功能

数据手册PDF