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60N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- N沟道,60V,60A,14mΩ@10V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 60N06
- 商品编号
- C224096
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.468克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 输出功率：P₀ = 36.5 dBmW（典型值）
- 增益：Gₚ = 11.5 dB（典型值）
- 漏极效率：ηD = 60.0%（典型值）
应用领域
- 470 MHz频段放大器应用
- 电信设备的高频功率放大器