CBTW28DD14AETJ

这款14位总线开关/多路复用器（MUX）专为1.5 V或1.8 V电源电压操作、POD_12、SSTL_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信号传输以及CMOS选择输入电平而设计。它适用于DDR2、DDR3或DDR4内存总线系统。 CBTW28DD14采用1:2开关或z:1多路复用拓扑结构，提供14位宽的总线。每个14位宽的A端口可同时将所有位切换到B和C两个端口之一。端口选择通过一个简单的CMOS输入（SELect）实现。另一个CMOS输入（ENable）可用于断开所有端口连接。由于采用FET开关，每个端口都是无方向的，适用于众多需要高带宽切换或多路复用的应用。 SEL和EN输入信号设计为在1.5 V和1.8 V电源电压条件下，作为CMOS输入电平信号透明操作。 CBTW28DD14采用恩智浦（NXP）专有的高速开关架构，具有高带宽、低频时极低的插入损耗和极短的传播延迟，适用于许多需要高速信号切换或多路复用的应用。它采用4.5 mm×4.5 mm的TFBGA48封装，焊球间距为0.5 mm，在尺寸与电路板布局密度方面实现了最佳平衡。其工作温度范围为 -10 ℃至 +85 ℃。

• 14位总线宽度，1:2开关/多路复用器拓扑结构
• 双向操作
• 简单的CMOS选择引脚（SEL）
• 简单的CMOS使能引脚（EN）
• 2.5 GHz带宽
• 低导通插入损耗
• 低串扰
• 高关断隔离度
• POD_12、SSTL_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信号传输
• 低导通电阻（典型值10 Ω）
• 1.5 V或1.8 V电源电压操作
• 极低的电源电流（典型值300 μA）
• ESD抗扰度超过3 kV HBM、1 kV CDM
• 采用TFBGA48封装，尺寸为4.5 mm×4.5 mm×0.8 mm，间距0.5 mm，无铅/环保型

• DDR2/DDR3/DDR4内存总线系统
• 需要高速多路复用的系统