VN16BSPTR-E
VN16BSPTR E
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VN16BSPTR-E
- 商品编号
- C2150353
- 商品封装
- PowerSO-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.973克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 工作电压 | 9V~26V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
VN16BPS是一款采用VIPower技术制造的单片器件,用于驱动一侧接地的电阻性或电感性负载。 内置热关断功能可保护芯片免受过热和短路影响。 漏极开路诊断输出可指示:关断状态和导通状态下的负载开路、输出短路到VCC以及过热情况。通过在关断时施加负(-18V)负载电压,可实现电感性负载的快速退磁。 该器件具有诊断输出,可指示导通状态下的负载开路、关断状态下的负载开路、过热情况以及短路到VCC的情况。 从输入信号的下降沿开始,状态输出(初始为低电平以指示故障状态,如过热或导通状态下的负载开路)在过热(tpovl)和负载开路(tpol)情况下,将分别以不同的延迟恢复到高电平状态。此特性可用于区分检测到的故障性质。为保护器件免受短路和过流影响,热保护功能会在最低结温达到140℃时关断集成功率MOS管。当温度降至125℃时,开关会自动再次导通。在短路情况下,保护功能几乎无延迟地响应,因为传感器位于功率MOS区域内部。器件的内部功能可确保电感性负载以典型电压(Vdemag)-18V快速退磁。根据以下公式,此功能可大幅降低功耗: 在指定的热环境中,使芯片温度达到关断温度的最大电感值,是在固定VCC、Vdemag和f条件下负载电流的函数,具体根据上述公式确定。在该器件中,如果GND引脚断开,且VCC不超过16V,器件将关断。
商品特性
- 最大连续输出电流:20A(Tc = 85℃时)
- 5V逻辑电平兼容输入
- 热关断
- 欠压保护
- 漏极开路诊断输出
- 电感性负载快速退磁
- 极低的待机功耗
优惠活动
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