TPS2043DR

TPS2043和TPS2053三路电源分配开关适用于可能遇到重容性负载和短路的应用场景。TPS2043和TPS2053在单个封装中集成了三个135 mΩ的N沟道MOSFET高端电源开关，适用于需要多个电源开关的电源分配系统。每个开关由一个逻辑使能端控制，该使能端兼容5 V逻辑和3 V逻辑。栅极驱动由内部电荷泵提供，该电荷泵控制电源开关的上升时间和下降时间，以最大程度减少开关过程中的电流浪涌。电荷泵无需外部组件，允许低至2.7 V的电源供电。 当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，TPS2043和TPS2053通过切换到恒流模式将输出电流限制在安全水平，并将过流（OCx）逻辑输出拉低。当持续的重过载和短路增加开关的功耗，导致结温升高时，热保护电路会关闭开关以防止损坏。一旦器件充分冷却，热关断后会自动恢复。内部电路确保在有有效输入电压之前开关保持关闭状态。 TPS2043和TPS2053设计为在0.9 A负载下进行限流。这些电源分配开关采用16引脚小外形集成电路（SOIC）封装，工作环境温度范围为 -40℃至85℃。 电源开关是一个N沟道MOSFET，最大导通电阻为135 mΩ（VI(INx)=5 V）。作为高端开关配置，电源开关在禁用时可防止电流从OUTx流向INx以及从INx流向OUTx。每个电源开关至少可提供500 mA电流。 内部电荷泵为驱动电路供电，并提供必要的电压将MOSFET的栅极拉高至源极之上。电荷泵可在低至2.7 V的输入电压下工作，且所需的电源电流非常小。 驱动器控制电源开关的栅极电压。为了限制大电流浪涌并减少相关的电磁干扰（EMI），驱动器集成了控制输出电压上升时间和下降时间的电路。上升和下降时间通常在2 ms至4 ms范围内。 当ENX（TPS2043）上为逻辑高电平或ENx（TPS2053）上为逻辑低电平时，逻辑使能端会禁用电源开关以及电荷泵、驱动器和其他电路的偏置，从而将电源电流降至20 μA以下。ENx上的逻辑零输入或ENx上的逻辑高电平会恢复驱动和控制电路的偏置并开启电源。使能输入兼容TTL和CMOS逻辑电平。 当遇到过流或过温情况时，OCx开漏输出会置位（低电平有效）。输出将保持置位状态，直到过流或过温情况消除。 检测FET监测提供给负载的电流。检测FET比传统的电阻方法更有效地测量电流。当遇到过载或短路时，电流检测电路会向驱动器发送控制信号。驱动器进而降低栅极电压并将功率FET驱动到其饱和区域，从而将输出切换到恒流模式，并在负载电压变化时保持电流恒定。 TPS2043和TPS2053采用双阈值热跳闸机制，使电源分配开关能够完全独立运行。在过流或短路情况下，结温会升高。当管芯温度升至约140℃时，内部热检测电路会检查以确定哪个电源开关处于过流状态，并关闭该开关，从而在不中断相邻电源开关运行的情况下隔离故障。热检测具有迟滞特性，器件冷却约20℃后，开关会重新开启。开关会持续循环开启和关闭，直到故障消除。当出现过温或过流情况时，（OCx）开漏输出会置位（低电平有效）。 电压检测电路监测输入电压。

• 最大135 mΩ（5 V输入）高端MOSFET开关
• 每通道500 mA连续电流
• 带过流逻辑输出的短路和热保护
• 工作范围：2.7 V至5.5 V
• 逻辑电平使能输入
• 典型上升时间2.5 ms
• 欠压锁定
• 最大20 μA待机电源电流
• 双向开关
• 采用16引脚SOIC封装
• 环境温度范围：-40℃至85℃
• 2 kV人体模型、200 V机器模型静电放电保护
• UL认证 – 文件编号E169910