AT25DF021A-SSHN-B
单电源供电,SPI接口,多擦除模式闪存
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT25DF021A-SSHN-B
- 商品编号
- C20788389
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;软件写保护 |
商品特性
- 单电源1.65 V至3.6 V(-40°C至+85°C)
- 单电源1.7 V至3.6 V(-40°C至+125°C)
- 串行外设接口(SPI)兼容
- 支持SPI模式0和3
- 支持双I/O操作
- 最大工作频率104 MHz
- 时钟到输出(t_V)为6 ns
- 针对代码和数据存储应用的灵活、优化擦除架构
- 小页擦除(256字节)
- 统一4千字节块擦除
- 统一32千字节块擦除
- 统一64千字节块擦除
- 全芯片擦除
- 通过WP引脚硬件控制保护扇区锁定
- 128字节可编程一次性可编程(OTP)安全寄存器
- 64字节工厂编程,具有标识符
- 64字节用户可编程
- 灵活编程
- 字节/页编程(1至256字节)
- 双输入字节/页编程(1至256字节)
- 顺序编程模式能力
- 快速编程和擦除时间
- 典型页编程(256字节)时间1.25 ms
- 典型4千字节块擦除时间40 ms
- 典型32千字节块擦除时间250 ms
- 典型64千字节块擦除时间500 ms
- 自动检查和报告擦除/编程失败
- 软件控制复位
- JEDEC标准制造商和设备ID读取方法
- 低功耗
- 超深度掉电电流典型值200 nA
- 深度掉电电流典型值4.5 μA
- 待机电流典型值25 μA
- 主动读取电流典型值4.5 mA
- 耐久性:100,000次编程/擦除周期(-40°C至+85°C)
- 耐久性:20,000次编程/擦除周期(-40°C至+125°C)
- 数据保留:20年
- 符合全工业温度范围
- 行业标准绿色(无铅/无卤素/RoHS兼容)封装选项
- 8引脚SOIC(150密耳)
- 8焊盘超薄DFN(2×3×0.6毫米)
- 8焊盘超薄DFN(5×6×0.6毫米)
- 8引脚TSSOP
- 8球WLCSP(3×2×3球矩阵)
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