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AT25XE161D-SHN-T

16-Mbit，1.65V - 3.6V 范围 SPI 串行闪存，支持多 I/O

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: AT25XE161D-SHN-T
商品编号: C20792438
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品特性

电压范围：1.65 V - 3.6 V
4 Mbit (2M x 2) 闪存
灵活的256字节页擦除架构
兼容串行外设接口（SPI）
支持SPI模式0和3
支持SPI单模式操作（1-1-1）
支持双输出操作（1-1-2）
支持四输出操作（1-1-4）
支持四XiP操作（1-4-4和0-4-4）
最高工作频率133 MHz
时钟到输出时间8 ns
适用于代码+数据存储应用的灵活、优化擦除架构
统一的256字节页擦除
统一的4 KB块擦除
统一的32 KB块擦除
统一的64 KB块擦除
全芯片擦除
灵活的非易失性块保护
1个128字节工厂编程唯一标识符
3个128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器
灵活编程
字节/页编程（1至256字节）
单命令页缓冲区直接读-改-写（包含擦除的页写入）
灵活的256字节SRAM页缓冲区操作
顺序编程模式能力
擦除编程暂停恢复
软件控制复位和终止命令
硬件复位选项（通过/HOLD引脚）
JEDEC硬件复位
低电池检测电路
主动中断设备状态能力
非易失性状态寄存器配置选项
JEDEC标准制造商和设备ID读取方法
串行闪存可发现参数（SFDP）版本1.6
低功耗：
典型待机电流30 μA
典型深度掉电（DPD）电流8.2 μA
典型超深度掉电（UDPD）电流7 nA
（1-1-1 — 108 MHz）活动读取电流8.6 mA
编程电流9.2 mA
擦除电流10.2 mA
用户可配置和自动I/O引脚驱动电平
耐久性：100,000次编程/擦除循环
数据保留：20年
-40°C至+85°C工作
行业标准绿色（无铅/无卤化物/符合RoHS）封装选项
8引脚SOIC（150密耳）
8引脚SOIC（208密耳）
8焊盘超薄DFN（2 x 3 x 0.6 mm）
8球WLCSP（3 x 2 x 3球矩阵）

数据手册PDF

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