温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SPA02N80C3-VB
1个N沟道 耐压:850V 电流:5.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,850V；5.5A；RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SPA02N80C3-VB
- 商品编号
- C20755690
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 816pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品特性
- 动态电压变化率额定值
- 重复雪崩额定
- 隔离式中心安装孔
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC