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WFF12N65-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用平面工艺制造，适用工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；12A；RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- WFF12N65-VB
- 商品编号
- C20755247
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 极低的栅漏电荷（Qgd）可降低通过平台电压（Vplateau）时的功率损耗
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源
- 次级同步整流
- DC/DC转换器
- 电动工具
- 电机驱动开关
- DC/AC逆变器
- 电池管理