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IPB025N08N3G-VB
1个N沟道 耐压:80V 电流:215A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET器件，采用Trench工艺，适用于高功率、高压的应用环境。它可广泛应用于各种功率电子系统中。TO263；N—Channel沟道,80V；215A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB025N08N3G-VB
- 商品编号
- C20755191
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 215A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@7.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |