TPC8214-H-VB
2个N沟道 耐压:100V 电流:5.8A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款一款双N沟道场效应管,采用Trench技术,适用于电源管理模块、信号放大器、LED驱动模块、电动工具控制器等多种领域和模块。SOP8;2个N—Channel沟道,100V;5.8A;RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- TPC8214-H-VB
- 商品编号
- C20755115
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交3单
