温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SJ209-T1B-A-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:1.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源控制和开关应用。适用于移动设备、传感器接口和医疗电子等多个领域和模块，为各类应用提供稳定可靠的电源和控制解决方案。SOT23；P—Channel沟道,-100V；-1.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ209-T1B-A-VB
- 商品编号
- C20755131
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V；560mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单