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STD7NM80T4-VB
1个N沟道 耐压:800V 电流:7A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于高电压、高电流控制的应用。在各种需要高电压、高电流控制的应用中具有广泛的应用潜力。TO252；N—Channel沟道,800V；7A；RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STD7NM80T4-VB
- 商品编号
- C20755037
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.426克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 99W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 373pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品特性
- 符合有害物质限制指令(RoHS)
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源(SMPS)
- 功率因数校正电源(PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明