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SQD50P08-25L-GE3-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-100V；-50A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQD50P08-25L-GE3-VB
- 商品编号
- C20755050
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.424克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V；55nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV RMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- P沟道
- 工作温度 175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅（Pb）版本