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STD1NB80T4-VB
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET功率器件，采用SJ_Multi-EPI技术，在不同领域和模块中广泛应用。TO251；N—Channel沟道,800V；2.8A；RDS(ON)=2380mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STD1NB80T4-VB
- 商品编号
- C20626364
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.38Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 雷电功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微逆变器-D类音频放大器