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IRF1503PBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:260A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要高功率开关和电流控制的应用场景。TO220；N—Channel沟道,30V；260A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF1503PBF-VB
- 商品编号
- C20626374
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 179nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
~~- 沟槽式场效应功率MOSFET-最高结温175 °C-符合RoHS指令2002/95/EC