- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EPC2308
增强型氮化镓功率晶体管，适用于高频开关和低导通损耗应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- EPC
- 商品型号
- EPC2308
- 商品编号
- C20619124
- 商品封装
- SMD,3x5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1667pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 401pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ |
商品概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数，可实现极低的导通电阻RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。最终结果是，该器件能够处理需要非常高开关频率和短导通时间的任务，以及导通状态损耗占主导的任务。
商品特性
- 易于使用且可靠的栅极，典型栅极驱动开启电压为5V，关闭电压为0V（无需负电压）
- FET顶部与源极电气连接
- 更高的效率——更低的传导和开关损耗，零反向恢复损耗
- 超小尺寸——更高的功率密度
- 采用热增强型QFN封装，顶部外露且热阻超低，可实现更凉爽的运行
- 可焊侧翼，高压和低压焊盘间距为0.6mm，便于组装和检查
- 湿度等级为MSL2
应用领域
- 高密度DC-DC转换
- AC/DC
- 充电器、适配器和电源的同步整流
- 太阳能优化器和微型逆变器
- 电池供电电动工具和机器人的电机驱动及DC-DC转换
- USB快速充电器