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HCJ3134K
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有1.2A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及150mR的典型内阻。其VGS为12V，适用于多种应用场景。该元器件设计精良，性能可靠，是电子系统中的理想选择，能够满足多样化的市场需求。
- 商品型号
- HCJ3134K
- 商品编号
- C20616299
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00908克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
1N60G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 1.2A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 260 mΩ
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 350 mΩ
- 静电放电等级:1500V人体模型(HBM)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源-N沟道MOSFET