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HCJU30P10
1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 笔记本电脑的电源管理 便携式设备和电池供电系统 过流保护 照明控制系统 电机驱动
- 商品型号
- HCJU30P10
- 商品编号
- C20616301
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 147nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AO3416采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- ESD等级：2000V HBM