AT4N33-CuH-D
光耦-达林顿光耦
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- 描述
- AT4N33是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关,具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。 广泛应用于:开关电源 ,工业控制 、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。
- 品牌名称
- AOTE(奥特)
- 商品型号
- AT4N33-CuH-D
- 商品编号
- C20612709
- 商品封装
- DIP-6
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.658462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 达林顿晶体管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.24V | |
| 输出电流 | 150mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 55V | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 500% | |
| 正向电流(If) | 60mA |
商品概述
AT4N33将AlGaAs红外发射二级管组合为所述发射器光学耦合到硅平面达林顿光电晶体管塑料DIP6包装中的探测器,不同的引线成型选项。 The AT4N33 combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar darlington phototransistor detector in a plastic DIP6 package with different lead forming options.
商品特性
- 高隔离: 5000 VRMS
- 带晶体管输出的直流输入
- 工作温度范围: -55°C 至 110°C
- 符合安规标准:UL1577,VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5),CQC11-471543-2022
应用领域
- 低功率逻辑电路
- 电信设备
- 便携式电子设备
- 不同电位和阻抗的接口耦合系统
优惠活动
购买数量
(65个/管,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个65个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单

