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TPZVP4424GTA
P沟道 耐压:240V 电流:0.27A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPZVP4424GTA
- 商品编号
- C20611842
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.226克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 229pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16.7pF |
商品概述
JSM100N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 100A
- 导通电阻RDS(ON)：在栅源电压VGS = 10V时为5.5 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
应用领域
-负载/电源切换-接口切换-逻辑电平转换