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AO4813
P沟道 耐压:30V 电流:7.5A
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- 描述
- 这些采用沟槽 DMOS 技术的 -30V 双 P 沟道增强型功率场效应晶体管封装在一个管壳内。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4813
- 商品编号
- C20609406
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1902克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 235pF |
商品概述
这些采用沟槽 DMOS 技术的 -30V 双 P 沟道增强型功率场效应晶体管封装在一个管壳内。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -7.5 A @ VGS = -10 V
- Rds(on) = 17mΩ(典型值)@VGS=-10V
- Rds(on) = 26mΩ(典型值)@VGS = -4.5V
- 快速开关
- 适用于 -4.5V 栅极驱动应用
- 封装:SOP - 8
- 提供无铅环保产品
应用领域
-主板/显卡/核心电压-负载点应用-负载开关-LED 应用