BSS215P
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
- 描述
- 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSS215P
- 商品编号
- C20609442
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
WSP4065 是一款高性能的沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4065 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- -20V/-3A,在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 100mΩ(最大值)
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 120mΩ(最大值)
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 可靠耐用
- 采用SOT - 23表面贴装封装
- SOT - 23
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备和电池供电系统
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