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OSP18N20
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 快速开关速度
- 高输入阻抗和低电平驱动
- 经过雪崩能量测试
- 改善的 dv/dt 能力，高耐用性
应用领域
- 高效率开关电源
- 功率因数校正
- 电子镇流器