商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这款功率MOSFET设计用于在雪崩和换向模式下承受高能量。专为电源、转换器和动力电机控制中的低压、高速开关应用而设计，这些器件特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 漏源电压(V) = 60 V
- 漏极电流 = 30 A(栅源电压 = 10 V)
- 导通电阻 < 25 mΩ(栅源电压 = 10 V)
- 导通电阻 < 30 mΩ(栅源电压 = 4.5 V)
- N沟道MOSFET