- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 137A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.61nF |
商品概述
AO6402A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。源极引脚相互分离，允许与源极进行开尔文连接，可用于旁路源极电感。
商品特性
- 极低导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 引脚无铅镀层;符合RoHS标准
- 非常适合高频开关和同步整流应用
- VDS = 100 V
- ID = 137 A
- RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 4.5 mΩ