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SI2317A
-20V P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压：-20V。 当栅源电压为 -4.5V，漏极电流为 -4.2A 时，导通电阻小于 40mΩ。 当栅源电压为 -2.5V，漏极电流为 -3.4A 时，导通电阻小于 50mΩ
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- SI2317A
- 商品编号
- C20607456
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0405克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V；50mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |